Samsung Electronics Co., Ltd ha anunciado al mundo su nueva línea de módulos de memoria DDR3 Green de 8GB construidos con tecnología TSV (Through Silicon Via) que también es anunciado como un chip 3D. Esto es gracias al tipo de construcción física (tecnología de chips apilados) con la que Samsung pretende solucionar la “paradoja” de manejar bajos consumos energéticos en servidores web mientras mejora su desempeño y brinda mayor capacidad de memoria. Luego de ensayar en los servidores de sus mejores clientes, Samsung se ha comprometido a aplicar este tipo de tecnología (TSV sobre RDIMM de 40nm) en toda su línea de memorias y a tenerlas disponibles al público en 2012.
A principios de esta semana, Samsung anunció que las nuevas memorias RDIMM 8 GB, que utilizan su tecnología 3D TSV, son capaces de ahorrar hasta un 40% de energía en comparación con las RDIMM convencionales. Además, la tecnología TSV permite una notable mejora en la densidad de chips de memoria en un solo “banco”, con lo que se espera compensar la disminución de zócalos de memoria en las placas madre de los servidores de próxima generación. Además, el éxito alcanzado en las RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) de 40nm trasladará la tecnología de fabricación TSV a las ya exitosas DDR3 de 4GB, 1,35Volts y 30nm y a todos los modelos que la compañía genera. Es decir, prepárate para que tu próximo ordenador de mesa sea capaz de contar con 48GB de memora RAM en un solo banco (6 chips de 8GB).
El sistema de apilamiento TSV, como muestra la imagen anterior, se construye a partir de orificios a escala micrométrica (vías a través del silicio) que poseen una orientación vertical y se rellenan con cobre. Este método conecta a todos los chips individuales y apilados de manera más directa que los tradicionales métodos de vinculación por alambre. De este modo, tanto la longitud de las líneas de señal como el tiempo de acceso a cada chip se reducen de manera significativa, permitiéndole al conjunto trabajar como si fuera una unidad única. De cara a una disminución del 30% en las ranuras de memoria en servidores de última generación, Samsung dijo que su tecnología TSV podrá aumentar la densidad de memoria DRAM más de un 50%, por lo que es muy atractivo para lograr alta densidad de integración en sistemas de servidores de alto rendimiento.
