Un nuevo transistor de grafeno, desarrollado por IBM y capaz de operar hasta una frecuencia de 155GHz, acaba de ser presentado en sociedad. Se trata de un componente que es como mínimo un 50% más rápido que su predecesor y que tiene una muy buena capacidad de eliminar el calor de su interior, por lo que no necesita ser refrigerado para operar a esa velocidad. Esto es posible gracias a las particulares características del grafeno, un material que permite a los electrones moverse por su interior a mayor velocidad que en el silicio.
La carrera por conseguir un transistor capaz de alcanzar el teraherz no se detiene. El año pasado IBM había sorprendido al mundo construyendo un transistor de grafeno capaz de operar a frecuencias cercanas a los 100GHz, utilizando como base el grafeno. Este material, como hemos explicado alguna vez en Neoteo, no es más que una estructura laminar plana (de un átomo de grosor) compuesta por átomos de carbono dispuestos en una red cristalina que recuerda la forma de un panal de abeja. En 2010, Andre Geim y Konstantin Novoselov consiguieron el Premio Nobel de Física gracias a los revolucionarios descubrimientos sobre este material. Pero a pesar de tratarse de una sustancia relativamente nueva, lo cierto es que ya se la han encontrado multitud de aplicaciones, y algunos ya especulan con que podría reemplazar al silicio.
Ahora, el grafeno vuelve a ser noticia, ya que la misma empresa IBM acaba de publicar en la revista Nature que sus investigadores han conseguido construir un prototipo capaz de superar la velocidad de su predecesor en un 50%. El nuevo transistor de grafeno, diseñado por Yu-ming Lin y Phaedon Avoris, puede realizar 155 mil millones de ciclos por segundo, prácticamente sin producir calor. Esta velocidad está mucho más allá de lo que pueden siquiera soñar con alcanzar sus contrapartes basadas en silicio, y algún día podrían ser la base sobre la que se construyan microprocesadores 50 o 100 veces más rápidos que los actuales. El grafeno se ha convertido en un material muy prometedor para construir transistores, ya que se permite a los electrones moverse por su interior a mayor velocidad que en el silicio.
Yu-Ming Lin ha dicho que “la presente investigación ha demostrado que es posible producir transistores de bajo coste y alto rendimiento basados en el grafeno y utilizando los procesos estándar de fabricación de semiconductores”, frase que permite especular con que la producción de chips de grafeno a escala comercial podría estar más cerca de lo que parece. Se estima que uno de las primeras aplicaciones que tendrán estos componentes será el proceso de señales analógicas de alta frecuencia, tarea para lo que son especialmente aptos.
