Nueva memoria de alta densidad para almacenar terabytes en smartphones

El máximo de memoria RAM en un ordenador de escritorio asciende a unos cuantos gigabytes. Si hablamos de almacenamiento, la marca se eleva a algunos terabytes en el mejor de los casos. Se trata de una cantidad impresionante de información, sin embargo, la demanda no para de crecer. Afortunadamente, varias compañías están desarrollado una solución a largo plazo, aplicando una nueva memoria super-densa basada en un diseño resistivo, lo que nos hace recordar a los memristores.

Los smartphones más avanzados del mercado pueden ofrecer dos o tres gigabytes de RAM. De más está decirlo, eso los coloca a la par de cualquier ordenador, sea portátil o de escritorio. Pero en el fondo sabemos que no es suficiente. Tal vez lo sea ahora, sin embargo, dentro de algunos años los dispositivos móviles deberán ganar velocidad y densidad de almacenamiento. Lo mismo sucede con los ordenadores, y la sensación es que las tecnologías actuales se encuentran estancadas. Por suerte, hay desarrollos con un potencial gigantesco. En el año 2013, una compañía estacionada en California llamada Crossbar presentó un prototipo de memoria resistiva con una densidad tan alta que podía guardar hasta un terabyte de datos en una superficie equivalente a la de una estampilla. El problema con esta memoria resistiva es que posee un proceso muy complicado de fabricación, el cual involucra a altos voltajes y entornos con una temperatura muy elevada. La clave para disparar la adopción de esta tecnología, no es otra más que simplificar las líneas de producción.

Esto nos lleva a un trabajo presentado por la Universidad Rice en julio de 2014 (enlace más abajo). Allí explican que todo comienza con una capa de óxido de silicio repleta de agujeros, con un diámetro de cinco nanómetros cada uno. Esta capa porosa es encerrada entre otras dos capas que sirven como electrodos. Al aplicar electricidad, el metal de estas capas externas, usualmente oro o platino, se introduce en los agujeros del óxido de silicio, estableciendo una conexión eléctrica entre ambos electrodos. Con la aplicación de más electricidad, se crea una fisura en el metal dentro de los poros, dando lugar a una brecha nanométrica de silicio. El almacenamiento de los bits se lleva a cabo alterando la conductividad de ese silicio con pulsos eléctricos de bajo voltaje, y dicho estado se conserva hasta que otro pulso lo reescriba.

Esta nueva memoria resistiva requiere voltajes mucho más bajos en su fabricación, y su densidad es superior (nueve bits por celda). También existe la posibilidad de apilar capas de memoria, algo en lo que ya están trabajando empresas como Samsung. Con la nueva memoria sería posible crear módulos que posean cientos de capas, acumulando terabytes enteros de capacidad, bajo un volumen lo suficientemente pequeño como para instalarlos dentro de smartphones y tablets. Hasta aquí, es la misma gente de Crossbar la que parece mejor posicionada para lanzar memorias resistivas al mercado. De hecho, las primeras unidades se verían durante este año, aunque la “versión 3D” con varias capas demandará dos o tres años más.