Investigadores de la Universidad de Pensilvania han creado un dispositivo de almacenamiento de datos basado en nanotubos de carbono, que es capaz de almacenar tres valores bits en lugar de los dos habituales ("0" y "1"). Esta particularidad podría dar lugar a una nueva generación de memorias de alta capacidad para todo tipo de aparatos electrónicos.
La electrónica digital, madre de todos los ordenadores y gadgets que proliferan por el mundo, se basa en el sistema binario. Es muy lógico que así sea, ya que los dos estados posibles de este sistema pueden correlacionarse con la presencia o ausencia de tensión eléctrica. Sin embargo, el tener solo dos estados hace que almacenar números requiera de mucho más espacio que, por ejemplo, el sistema decimal. Por ejemplo, el numero decimal "99" solo requiere de dos dígitos, pero en binario requiere de siete: "1100011". Es el precio a pagar por la simplicidad y velocidad que brindan estos circuitos.
Pero el dispositivo ideado por los investigadores de la Universidad de Pensilvania podría cambiar este panorama. Sus nanotubos, además de ser sumamente pequeños, pueden estabilizarse en tres estados diferentes, a los que podríamos llamar "0", "1" y "2".
Ritesh Agarwal, un profesor que participó de las investigaciones, declaró que "el uso de nanocables para crear memorias electrónicas es ventajoso por varias razones, […] y podría permitir un enorme aumento en la densidad de memoria de los futuros dispositivos". El uso de nanotubos "trinarios" en lugar de transistores binarios aporta una gran cantidad de ventajas. Estos dispositivos, una vez fabricados mediante procesos industriales masivos, serian más rápidos, más pequeños y más económicos que sus contrapartes actuales.
Los nanocables utilizados por el grupo de la Pensilvania tiene una estructura similar a la de un cable coaxial (pero son millones de veces más pequeños), y disponen de dos fases de cambio entre materiales. El núcleo está compuesto por germanio, antimonio y telurio (Ge2Sb2Te5), mientras que la cáscara cilíndrica está construida con germanio y telurio (GETE). Los cambios de fase se obtienen sometiendo los nanocables a campos eléctricos. Este proceso calienta el nanocables, y permite alterar la esencia y estructura cristalina del mismo. Esta puede ser cristalina o amorfa, proporcionando dos estados con diferentes características eléctricas. El tercer valor posible, el que hace diferente a este dispositivo, ocurre cuando una de las capas esta en un estado y la otra en el opuesto, proporcionando un valor de resistencia intermedio.
Es posible que lleve algún tiempo disponer de memorias basadas en nanotubos de carbono. Pero seguramente cambiaran la forma en que almacenamos datos.
