En ocasiones anteriores hemos hablado sobre las memorias de cambio de fase, también conocidas como PCM, y el enorme potencial que guardan tanto en capacidad como en velocidad frente a los mejores ejemplares de memoria Flash que podemos encontrar en el mercado. En el día de ayer no fue otro sino el gigante azul IBM quien anunció un importante avance en el desarrollo de memorias PCM de alta densidad. IBM ha logrado aumentar su resistencia y reducir los errores de lectura que pueden aparecer con el tiempo a una escala adecuada para aplicaciones empresariales, algo que sin dudas podría dar luz verde a su adopción general dentro de unos años.
Dos móviles, dos pendrives y una tarjeta de memoria perteneciente a una cámara compacta son las cosas que tengo a la mano en este momento con memoria Flash en su interior. Estas memorias son más que adecuadas para el funcionamiento dentro de estos dispositivos, pero de acuerdo a la demanda puede ser necesario que las memorias no volátiles sean mucho más robustas. Los discos de estado sólido han alcanzado un nivel de desarrollo en el cual el factor de desgaste ya no debería ser un problema para el usuario promedio. Sin embargo, en un entorno empresarial con servidores de alta demanda, los ciclos de escritura disponibles pueden consumirse mucho más rápido de lo que imaginamos. Además de más rápidos, también necesitamos que los medios de almacenamiento sean más resistentes, y que posean una densidad mayor.
La respuesta tal vez pueda encontrarse con las memorias de cambio de fase, de las cuales hemos hablado aquí y aquí. En teoría, la memoria PCM puede alcanzar una velocidad cien veces mayor en comparación con la mejor memoria Flash del mercado, con una durabilidad cercana a los diez millones de ciclos de escritura. Pero hay un problema: Grabar un sólo bit por celda es muy caro e ineficiente (el espacio disponible sería muy bajo), y cuando se trata de grabar múltiples bits, la integridad de los datos se deteriora con el tiempo, hasta llegar a un estado de corrupción. Para combatir esto, IBM ha logrado implementar un método de “código de modulación”, que se puede encontrar actualmente en discos duros y medios ópticos de almacenamiento.
Básicamente, se trata de una forma de escritura preparada para evitar las desviaciones en la resistencia del material, que eventualmente generan errores de lectura. Se aplica un voltaje basado en la desviación desde el umbral deseado, y luego se mide la resistencia. Si el resultado no es el correcto, se aplica un nuevo voltaje y se mide otra vez, hasta que los valores sean los buscados. “En papel” el proceso puede parecer un poco redundante y repetitivo, pero en IBM han alcanzado una latencia de diez microsegundos, lo que representa un incremento de cien veces en el rendimiento frente a una memoria Flash. Con la posibilidad de fabricar memorias PCM de múltiples bits por celda y garantizar una retención correcta de los datos, sólo será cuestión de tiempo antes de que veamos memorias PCM en el mercado, aunque no llegarán directamente de IBM. Obviamente, su objetivo es licenciar la tecnología. ¿Un estimado? Año 2016.
