En estos últimos tiempos, lo que el usuario sabe de la memoria RAM es que necesita una buena cantidad de ella, y que se encuentra en un mínimo histórico de precios. Eso nos haría pensar que no hay muchos estímulos para mejorar la tecnología asociada, pero nada puede estar más lejos de la verdad. En 2009, la Universidad de Granada presentó junto al laboratorio CEA-LETI francés una memoria conocida como A-RAM, que se basa en el concepto de “1T-DRAM”, y que busca extender los límites de miniaturización a los que la DRAM también se ve sometida. Después de tres años de trabajo, la memoria ha dejado de ser una teoría.
Necesitamos que los componentes electrónicos sean cada vez más pequeños, de eso no hay dudas. No sólo se trata de una cuestión de costos, sino que también el consumidor busca (y demanda) ventajas específicas como la portabilidad. Ya hemos visto la capacidad de procesamiento que pueden poseer algunos smartphones y tablets. El concepto de “ordenador en el bolsillo” tiene múltiples ejemplos en el mercado, pero eso no quiere decir que hayamos llegado a un límite. De todas maneras, el límite está cerca. La famosa “Ley de Moore” estará entre nosotros por muchos años más, pero carga consigo la inevitabilidad de su fin. Aunque la Ley de Moore está principalmente asociada a procesadores, también se pueden encontrar ejemplos bajo otros componentes, como es el caso de la memoria RAM. Aunque las celdas DRAM han sido reducidas considerablemente, si se las quiere llevar “más abajo”, se necesita reinterpretar su diseño.
Eso es lo que ha hecho un grupo de científicos estacionado en la Universidad de Granada, y en colaboración con el laboratorio francés CEA-LETI. La memoria en cuestión se llama A-RAM, siglas para “Advanced Random Access Memory”. Básicamente, para entender mejor a la memoria A-RAM, hay que explorar el concepto de “1T-DRAM”. Una celda de memoria DRAM convencional está compuesta por un transistor y un capacitor (léase “condensador”). Esta estructura de memoria ha logrado ser reducida considerablemente, pero está alcanzando a sus límites. Lo que hace la memoria “1T-DRAM” es eliminar el capacitor en cuestión, y apela al llamado “Efecto de cuerpo flotante” en el transistor, lo que crea una forma de “capacitor parásito”. Usualmente, ese parásito representa un problema, pero en la memoria 1T-DRAM (y por extensión, la A-RAM), resulta un beneficio.
Si se aplica un método tridimensional similar a la que ha estado aplicando Intel en sus procesadores, la memoria A-RAM y sus tecnologías derivadas (como la celda A2RAM) tienen un potencial enorme a la hora de miniaturizar DRAM. Tampoco debemos olvidar que la memoria tiene amplios tiempos de retención y un menor consumo de energía. Integrar un chip de memoria sobre un PCB es algo relativamente sencillo para los fabricantes en estos días, sin embargo, reiteramos que la idea es hacer todo más pequeño. Las tecnologías A-RAM y A2RAM ya cuenta con unas diez patentes alrededor del globo, y está en el radar de gigantes de la industria como Samsung y Micron.
