Memoria de nanopuntos de silicio: 100 veces más rápida

Los últimos desarrollos en memoria se han concentrado principalmente en aumentar el ancho de banda y reducir el voltaje, y aunque también se ha registrado un incremento en la velocidad, el beneficio final para el usuario tal vez no haya sido tan tangible como se esperaba. Aún así, se siguen explorando diferentes mejoras, y en esta ocasión, investigadores del Laboratorio Nacional de Nanodispositivos de Taiwán y la Universidad de California Berlekey han creado una memoria basada en nanopuntos de silicio, que puede ser escrita y borrada hasta cien veces más rápido que los productos de memoria actuales.

Muchos usuarios están sorprendidos por la velocidad que pueden ofrecer hoy las unidades de estado sólido. Sin embargo, dicha velocidad se hace palpable en comparación con lo que pueden hacer los discos duros convencionales. Ahora, frente a algo como la memoria RAM, se hace muy difícil pensar que los SSD no son tortugas. Los mejores SSD del mercado ofrecen cifras de 500 o 600 megabytes por segundo en lectura y unos 400-500 megabytes por segundo de escritura, pero a modo de ejemplo, la memoria DDR3 operando a una frecuencia de 100 Mhz tiene un máximo de transferencia de 6,400 megabytes por segundo. Dicho de otra manera, la tecnología de memoria no volátil que usamos hoy tiene aún mucho espacio para madurar y evolucionar. La velocidad es un punto fundamental, pero tampoco hay que descuidar detalles como la durabilidad.

Recientemente, un grupo de investigadores del Laboratorio Nacional de Nanodispositivos de Taiwán y la Universidad de California Berlekey presentaron información sobre un nuevo tipo de memoria no volátil basado en nanopuntos de silicio. Cada nanopunto, que no posee un diámetro mayor a tres nanómetros, cumple el rol de un bit. Los puntos son luego cubiertos con una capa metálica, y a través del disparo de un láser verde de alta precisión (tiene un intervalo inferior al microsegundo), se puede alternar entre la carga y la descarga de los nanopuntos, generando de forma efectiva los “1” y los “0” que se necesitan. De acuerdo a la información publicada, la memoria de nanopuntos podría escrita y borrada hasta cien veces más rápido que las memorias Flash actuales, y el método de fabricación de esta memoria sería compatible con las líneas de producción CMOS actuales, por lo que la transición a dicha tecnología no debería ser tan traumática para los fabricantes.

Por supuesto, todavía quedan muchos detalles por resolver y aclarar. En primer lugar, la memoria utiliza un promedio de siete voltios, un número que si bien no sería un problema, probablemente los desarrollos futuros sobre esta tecnología busquen reducir. Y en segundo lugar, tampoco se ha dicho nada en lo que se refiere a densidad de almacenamiento. Actualmente, los nanopuntos tienen un diámetro de tres nanómetros, pero si se planea su implementación a gran escala, uno de los objetivos más importantes será buscar la manera de reducir ese tamaño. Un aumento de cien veces en la velocidad de escritura es ciertamente tentador, pero esperamos que puedan explotar este descubrimiento eficientemente, en especial si hablamos del costo.