Imagina una memoria mil veces más rápida, mil veces más resistente, y diez veces más densa que la memoria Flash NAND actual. Si cualquier otra compañía dijera tener algo así en su laboratorio sería muy difícil creerle… pero se trata de Intel y Micron, dos verdaderos monstruos en el desarrollo y venta de memoria. Su anuncio en conjunto nos habla de 3D XPoint, el avance más importante en memorias no volátiles de los últimos 25 años. Si cumple con la mitad de lo que promete… el mercado va a quedar en llamas.
La mecánica es bastante conocida para nosotros: Una compañía anuncia avances extraordinarios en un componente o una tecnología específica, pero resulta que todo se encuentra en el laboratorio, y no llegará al mercado hasta dentro de una década o más. Bueno… el consumidor no quiere esperar. De hecho, no puede esperar. Esto también se extiende a proveedores y fabricantes, los mismos nombres que prometen soluciones viables en quince o veinte años. Las soluciones se necesitan hoy, ahora. El volumen de datos está creciendo en forma exponencial. La Web debe ser más rápida, y recibir a más usuarios. El contenido 4K es una sombra en el horizonte, pero sus bordes vienen ganando definición. Tenemos buenos ordenadores, sin embargo, hemos comenzado a sentir los límites de sus diseños. En resumen: Hay que quebrar la regla y abrazar a la excepción. El mercado informático debe arrojar una bomba con urgencia, algo que deje bocas abiertas y miradas perdidas. Intel y Micron dicen tener esa bomba.
El nombre es 3D XPoint. Su presentación oficial describe a esta tecnología como una nueva categoría en memoria, después de la aparición de la memoria Flash NAND en 1989. Todos estamos de acuerdo en que no necesitamos otra DRAM, y no necesitamos otra NAND, pero si obedecemos a lo publicado por ambas compañías, 3D XPoint es mejor. En primer lugar, tenemos su resistencia. La memoria Flash NAND ofrece una cantidad limitada de ciclos de escritura, pero 3D XPoint multiplica esa resistencia promedio por mil. Después aparece la velocidad. Algunas unidades de estado sólido son muy veloces, aunque no pueden tocar a la DRAM actual. 3D XPoint puede ser hasta mil veces más rápida que la memoria NAND, un detalle que la coloca a la par de la DRAM, con la ventaja añadida de ser no volátil. Finalmente, llegamos a la densidad. Multiplicar por diez la capacidad conservando las mismas dimensiones generales se traduce en beneficios gigantescos para cualquier dispositivo.
Entonces, ¿dónde está el truco? ¿Cómo puede ser que Intel y Micron logren algo así? En términos muy relajados, 3D XPoint utiliza un diseño tridimensional con una estructura que permite acceder a cada celda de memoria en forma individual, cambiando el estado del bit con una simple variación del voltaje, y el llamado módulo selector acoplado a cada celda reemplaza al clásico transistor. ¿La mejor parte? Esto ya salió del laboratorio. Las primeras muestras serán distribuidas durante el último trimestre, y los productos finales llegarán en 2016.
